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首頁(yè)進(jìn)口晶振SG-8003BA有源晶振,晶體振蕩器型號(hào),愛(ài)普生進(jìn)口晶振價(jià)格,藍(lán)牙晶振

SG-8003BA有源晶振,晶體振蕩器型號(hào),愛(ài)普生進(jìn)口晶振價(jià)格,藍(lán)牙晶振

  • 頻率：1.0~166MHZ
  • 尺寸：2.1X1.7mm詳細(xì)請(qǐng)瀏覽PDF文檔
  • 應(yīng)　用： 目前有源晶振中體積最小的一款,產(chǎn)品本身帶溫度補(bǔ)償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.
  • RoHS RoHS2

             SG-8003BA有源晶振,晶體振蕩器型號(hào),愛(ài)普生進(jìn)口晶振價(jià)格,藍(lán)牙晶振,愛(ài)普生晶振具有體積小,重量輕,耐溫高,穩(wěn)定性能逾越,很好的適用于有當(dāng)前的全自動(dòng)貼片領(lǐng)域,可自行安裝各款型自動(dòng)貼片機(jī).薄型是對(duì)應(yīng)陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性價(jià)比較出色的產(chǎn)品.
項(xiàng)目 記 號(hào) SG-8003BA 條 件
頻率 f_nom 1.0~166MHZ  
頻率容許偏差 f_tol ±20x10−6, ±50x10−6  
頂點(diǎn)溫度 Ti +25±5°C  
二級(jí)溫度系數(shù) B (−3.5±1.0)x10−8/°C2  
負(fù)載容量 CL 7.0pF/9.0pF/12.5pF  
串聯(lián)電阻 R1 65kÙ 最大值  
絕對(duì)最大激勵(lì)等級(jí) DLmax. 1μW  
推薦激勵(lì)等級(jí) DL 0.1μW  
并聯(lián)電容 C0 0.8pF 典型值  
頻率老化程度 f_age ±3x10-6 +25±3°C，第一年
工作溫度范圍 T_use -20°C～+70°C  
保存溫度范圍 T_stg -55°C～+125°C 單件保管


         晶振在產(chǎn)品應(yīng)用中頻率偏差超過(guò)要求怎么辦呢？
         我們可以改善的頻率輸出的偏差超過(guò)范圍由以下幾個(gè)方法：
         調(diào)整外部電容,Cd和CG的值.如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量頻率比目標(biāo)頻率高,要增加外部電容CL（或Cd以及C 8的值）,以降低頻率到我們的目標(biāo)頻率,反之亦然.
         可以采用不同負(fù)載電容（CL）的晶體試用.試用晶體具有較低電容若頻率比目標(biāo)頻率超高很多的話.請(qǐng)檢查波形幅度是否是正常或不使用示波器,正確的電容是通過(guò)和頻率調(diào)節(jié)到目標(biāo)之后.根據(jù)該波形振幅收縮,由于增加外部電容,請(qǐng)使用方法2調(diào)整頻率（較低的外部電容,并采用低電容的晶體）的情況.

              愛(ài)普生晶體科技股份有限公司,依據(jù)‘ISO 14001環(huán)境/OHSAS-18001安衛(wèi)管理系統(tǒng)’要求制定本‘環(huán)境/安衛(wèi)手冊(cè)’,以界定本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之范圍,包括任何排除之細(xì)節(jié)及調(diào)整,并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)與各書(shū)面、辦法書(shū)之對(duì)應(yīng)關(guān)系,包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)內(nèi)之流程順序及交互作用的描述.
         2003年通過(guò)ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗(yàn)證,秉持“污染預(yù)防、持續(xù)改善”之原則,公司事業(yè)廢棄物產(chǎn)出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,各項(xiàng)排放檢測(cè)數(shù)據(jù)符合政府法規(guī)要求.并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國(guó)際大廠對(duì)于綠色生產(chǎn)及綠色產(chǎn)品的要求相符,于2004年通過(guò)SONY  綠色伙伴(Green Partner)驗(yàn)證. 
聯(lián)系人：黃娜
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網(wǎng)站：http://m.sanctuaryinlakeelmo.com  
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