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首頁(yè)進(jìn)口晶振日本電波32.768K晶體,NX2016晶振,四腳無(wú)源晶振

日本電波32.768K晶體,NX2016晶振,四腳無(wú)源晶振

  • 頻率：20~80MHZ
  • 尺寸：2.0*1.6mm
  • 應(yīng)　用： 代理:日本進(jìn)口貼片晶振品牌【EPSON】日本愛(ài)普生【SEIKO】日本精工【KDS】日本大真空【CITIZEN】日本西鐵城【RIVER】日本大河【kyocera】日本京瓷32.768KHZ系列.
  • RoHS RoHS2

           日本電波32.768K晶體,NX2016晶振,四腳無(wú)源晶振在當(dāng)今全球晶振市場(chǎng)說(shuō)的上是質(zhì)優(yōu)價(jià)廉,產(chǎn)品本身外觀是多種化,體積有大有小,有二個(gè)腳SMD焊接模式,也有三個(gè)腳SMD焊接模式,一樣有四個(gè)腳焊接模式,還有時(shí)鐘模塊焊接模式,產(chǎn)品具有無(wú)源32.768KHZ,也有帶電壓模式的32.768KHZ晶體系列,產(chǎn)品應(yīng)用范圍非常廣闊,比如多種電子消費(fèi)類,手機(jī)應(yīng)用,藍(lán)牙多功能播放器,無(wú)線通訊產(chǎn)品,平板電腦等多個(gè)領(lǐng)域,因32.768KHZ晶體本身外觀款式多元化,所以適合多個(gè)產(chǎn)品應(yīng)用.并且滿足歐盟ROHS環(huán)保要求,晶體本身有重量輕,體積小,超薄型等多種優(yōu)勢(shì),得到市場(chǎng)認(rèn)可.

型號(hào) NX2016
包裝（pcs） 3000/pcs
頻率范圍(MHZ) 20~80
頻率公差 Max. ±25 ×10-6 Max. ±50 ×10-6 Max. ±100 ×10-6
工作溫度 0 to +70 0 to +85 0 to +85
保存溫度 –55 to +125
電源電壓（V） +2.5 ± 5 %, +3.3 ± 10 %

電流消耗		 Enable (mA) Max. 60 (Typ. 36) (STAND-BY=VCC or OPEN, RL=50Ω)
Stand-by (μA) Max. 30 (STAND-BY=GND)
輸出電壓(V) VOL : VCC –1.81 to VCC 1.62 (DCcharacteristics)
VOH : VCC –1.025 to VCC –0.88    (DC characteristics)
上升/下降時(shí)間(單位:納秒) Max. 1 (20 to 80% Waveform)
對(duì)稱(%) 45 to 55 (at 50% Waveform)
輸出負(fù)載(Ω) 50 (Terminated to VCC–2.0V)
相位抖動(dòng) Max. 1 (Offset frequency : 12kHz to 20MHz)




典型的振蕩電路的原理圖
Rf (回授電阻):用來(lái)回授電流與訊號(hào)至輸入端或調(diào)整OP放大器的增益值(gm).
Rd (阻尼電阻/限流電阻):用來(lái)抑制流經(jīng)石英晶體的電流量降低振幅(有時(shí)會(huì)因驅(qū)動(dòng)電壓大小不同而選擇使用或取消).
Cg & Cd (接地電容):用來(lái)調(diào)整輸出頻率、負(fù)性阻抗與Drive level的大小.
負(fù)載電容 (CL):石英諧振器一般作為電感組件在振蕩電路中起穩(wěn)定頻率作用,而電路的其他組件均可等效為一個(gè)負(fù)載電容與石英諧振器串聯(lián)或并聯(lián).負(fù)載電容的大小將對(duì)石英諧振器的等效參數(shù)及頻率穩(wěn)定度帶來(lái)影響.
※ CL: Crystal的負(fù)載電容
※ Cs: 雜散電容(Capacitance Stray)指包含IC內(nèi)部的雜散容值、Layout布線間的電容量、PCB板各層間的寄生電容  等…
※ Cd & Cg :接地電容
NDK的發(fā)展：
1948 年  在東京都中央?yún)^(qū)日本橋設(shè)立南部商工株式會(huì)社
1949 年  開(kāi)始晶體諧振器的制造、銷售
1970 年 在新瀉縣新瀉市建立Hawk Denshi株式會(huì)社（現(xiàn)為 新瀉NDK）
1975 年 在美國(guó)加利福尼亞州設(shè)立美國(guó)辦事處
1976 年 在宮城縣古川市（現(xiàn)為 大崎市）建立古川NDK株式會(huì)社
1979 年 在馬來(lái)西亞建立Asian NDK Crystal Sdn. Bhd. 為取得更大發(fā)展而解散美國(guó)辦事處，設(shè)立NDK America, Inc.
1985 年 狹山事業(yè)所主樓竣工
1986 年 在愛(ài)知縣岡崎市設(shè)立中部營(yíng)業(yè)所在馬來(lái)西亞建立Malaysian Quartz Crystal Sdn. Bhd.（現(xiàn)為 NDK Quartz Malaysia Sdn. Bhd.）狹山事業(yè)所新館竣工
1988 年 在新加坡設(shè)立NDK Electronics Singapore Pte. Ltd.（現(xiàn)在的 NDK Crystal Asia Pte. Ltd.）在英國(guó)設(shè)立NDK Europe Ltd.
1989 年 北在北海道函館市建立函館NDK株式會(huì)社
1990 年 在東京都新宿區(qū)西新宿設(shè)立總公司事務(wù)所在東京證券交易所 市場(chǎng)第2部上市
2001 年  在德國(guó)設(shè)立NDK Europe Ltd. German Office，（2008年設(shè)立NDK Germany Gmbh并開(kāi)始運(yùn)作）
2002 年  NDK America, Inc. 的總公司辦公室搬至美國(guó)伊利諾斯州在美國(guó)伊利諾斯州成立NDK America, Inc.在北海道函館市建立NRSTechnologies Inc. 在中國(guó)上海設(shè)立日電波水晶（上海）貿(mào)易有限公司
2004 年  在北海道千歲市成立千歲技術(shù)中心
2005 年  函館NDK吸收合并NRS Technologies Inc.總公司搬至東京都涉谷區(qū)笹塚
       2003年通過(guò)ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗(yàn)證,秉持“污染預(yù)防、持續(xù)改善”之原則,公司事業(yè)廢棄物產(chǎn)出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,各項(xiàng)排放檢測(cè)數(shù)據(jù)符合政府法規(guī)要求.并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國(guó)際大廠對(duì)于綠色生產(chǎn)及綠色產(chǎn)品的要求相符,于2004年通過(guò)SONY  綠色伙伴(Green Partner)驗(yàn)證. 

聯(lián)系人：鐘洋
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