晶振的選擇與應(yīng)用
來(lái)源：http://m.sanctuaryinlakeelmo.com 作者：yijindz 2012年04月30
任何竄入到振蕩電路中的噪聲信號(hào)都無(wú)疑對(duì)計(jì)時(shí)電路的準(zhǔn)確性產(chǎn)生影響，在設(shè)計(jì)實(shí)時(shí)時(shí)鐘
電路的印刷線路板必須采取一定的預(yù)防措施：
1、SMD晶振的位置要遠(yuǎn)離任何有高速數(shù)據(jù)通過(guò)的串行或并行總線，高速數(shù)據(jù)傳輸會(huì)在振蕩電路
上產(chǎn)生感應(yīng)信號(hào)。
2、 在晶振的周圍布一條不封閉的地線，地線的一端連接到芯片的地線，地線可以有效地阻擋外部的噪聲。
3、在晶振以及芯片所在位置的電路板的背面不要鋪設(shè)地線，以免形成電容影響晶振頻率的準(zhǔn)確性。
關(guān)于第3點(diǎn)非常重要 ，至少要保證晶體和芯片的OSC引腳附件留出一定空間不要鋪地，否則很容易形成寄生電容導(dǎo)致石英水晶振子起振困難或者振蕩不穩(wěn)定。
如果晶振不起振也有可能線路板問(wèn)題，焊接如果偏離一點(diǎn)位置，會(huì)有一些不一樣的影響
購(gòu)買晶振時(shí)要注意的幾項(xiàng)參數(shù)
4、 標(biāo)稱頻率：晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率，通常標(biāo)識(shí)在產(chǎn)品外殼上。
5、工作頻率：晶體與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。
6、調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率相對(duì)于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。
7、溫度頻差：在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對(duì)于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率的允許偏差。
8、老化率：在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對(duì)變化。以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱為年老化
9、靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。
10、負(fù)載電容：與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。
11、負(fù)載電容系列是：8PF、12.5PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
12、負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。
13、動(dòng)態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。
14、負(fù)載諧振電阻：在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。RL＝R1（1+C0/CL）激勵(lì)電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
14、基頻：在振動(dòng)模式最低階次的振動(dòng)頻率。
15、泛音：晶體振動(dòng)的機(jī)械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍，這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動(dòng)有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。
電路的印刷線路板必須采取一定的預(yù)防措施：
1、SMD晶振的位置要遠(yuǎn)離任何有高速數(shù)據(jù)通過(guò)的串行或并行總線，高速數(shù)據(jù)傳輸會(huì)在振蕩電路
上產(chǎn)生感應(yīng)信號(hào)。
2、 在晶振的周圍布一條不封閉的地線，地線的一端連接到芯片的地線，地線可以有效地阻擋外部的噪聲。
3、在晶振以及芯片所在位置的電路板的背面不要鋪設(shè)地線，以免形成電容影響晶振頻率的準(zhǔn)確性。
關(guān)于第3點(diǎn)非常重要 ，至少要保證晶體和芯片的OSC引腳附件留出一定空間不要鋪地，否則很容易形成寄生電容導(dǎo)致石英水晶振子起振困難或者振蕩不穩(wěn)定。如果晶振不起振也有可能線路板問(wèn)題，焊接如果偏離一點(diǎn)位置，會(huì)有一些不一樣的影響
購(gòu)買晶振時(shí)要注意的幾項(xiàng)參數(shù)
4、 標(biāo)稱頻率：晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率，通常標(biāo)識(shí)在產(chǎn)品外殼上。
5、工作頻率：晶體與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。
6、調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率相對(duì)于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。
7、溫度頻差：在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對(duì)于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率的允許偏差。
8、老化率：在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對(duì)變化。以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱為年老化
9、靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。
10、負(fù)載電容：與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。
11、負(fù)載電容系列是：8PF、12.5PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
12、負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。
13、動(dòng)態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。
14、負(fù)載諧振電阻：在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。RL＝R1（1+C0/CL）激勵(lì)電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
14、基頻：在振動(dòng)模式最低階次的振動(dòng)頻率。15、泛音：晶體振動(dòng)的機(jī)械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍，這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動(dòng)有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。
正在載入評(píng)論數(shù)據(jù)...
相關(guān)資訊
- [2024-12-19]金融網(wǎng)絡(luò)同步計(jì)時(shí)
- [2024-12-17]SiTime 的 MEMS First 和 EpiSeal 工...
- [2024-12-16]用于戰(zhàn)術(shù)Manpack無(wú)線電的MEMS定時(shí)解決...
- [2024-12-13]ODU的SiTime MEMS時(shí)序解決方案
- [2024-12-12]用于超聲波鏡頭清潔的 MEMS 定時(shí)
- [2024-12-12]SiTime用于汽車攝像頭的 MEMS 時(shí)序解...
- [2024-12-11]儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)的MEMS時(shí)序
- [2024-12-11]SiTime MEMS 定時(shí)用于智能電表
銷售代表
.jpg)